截止到2008年1月，ABM公司在世界范围售出了500多台光刻机，50多台单独曝光系统。著名的客户包括美国航天局NASA和INTEL、哈佛大学、LG、美国海军实验室、菲利普、惠普、3M等，ABM在中国各地也拥有不同领域的客户，包括众多的工厂、知名大学和研究所等。
光刻线条特征尺寸：
应用实例1：深紫外光源下0.25um线条
 Scanning Electron Micrographs 电子显微镜图像
Feature Sizes图像尺寸0.25微米线条
采用TOK DUV 光刻胶，200nm光学镜，光刻胶厚度0.45微米。曝光时间40秒。
应用实例2：近紫外光源下0.6um线条
Scanning Electron Micrograph Feature Sizes: 0.5 um
采用AZ PLP 50XT 光刻胶
近紫外光源，曝光时间3秒，显影时间35秒。
应用实例3：接近式样曝光0.8um线条
Scanning Electron Micrograph Feature Sizes: 0.8 um, 50um gap
近紫外光源，接近式曝光50um, 特征尺寸0.8um。
ABM亚太总部拥有自己的光刻工艺实验室，可为我们的客户提供各种光刻工艺技术服务。以满足客户不同的工艺要求。
 下载设备资料
详细信息请联系：
 电话: 86-10-87721612,87721672
传真: 86-10-87721672
 tom@hacori.com,何先生
|
