Glod Plating Station 金凸点电镀设备(RP-2/4系列) |
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Fountain Plating Technology Provides:
Uniform plated heights - between 3-5% centre-to-edge uniformity over 4” wafer 4“wafer中心到边缘高度均匀性为3-5%
Fine grain deposits Bright gold deposit~0.5 μm/min plating rate 金凸点生长速度为0.5um/分钟
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For Optimization of Plating Parameters: 其他参数: |
For Optimization of Plating Parameters
Adjustable distance between: 可调整距离 - Anode and cathode 阴极和阳极 - Height of anode above diffuser region 阳极以上扩散区域 - Gap between cup and wafer holder 杯与wafer hoder距离
Adjustable flow rate 可控流速
Adjustable temperature 可控温度
Adjustable constant current or constant voltage可控恒定电流或恒定电压
DC or (optional) pulse plating 可控电流电压或脉冲电镀(可选)
整流电源稳定通过wafer的电流无纹波现象
提供良好的温控均匀性,+/-1 degree C,保证电镀速率及颗粒大小的一致
提供工艺支持包括电镀液及其配方,并指导客户完成最好的工艺效果。
所有及材料及备件包括电镀槽、链接管路、泵、接口等均采用特殊抗腐蚀材 料制作,使用寿命长。
良好安全密封性和气密性,保证用户的安全。
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可适合各种尺寸WAFER镀金需要 |
 双槽(四槽)金凸点电镀设备 (并提供凸点制作各种化学材料配方)
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