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截止到2008年1月,ABM公司在世界范围售出了500多台光刻机,50多台单独曝光系统。著名的客户包括美国航天局NASA和INTEL、哈佛大学、LG、美国海军实验室、菲利普、惠普、3M等,ABM在中国各地也拥有不同领域的客户,包括众多的工厂、知名大学和研究所等。
  
美国ABM深紫外光刻机




                        设备型号ABM/6/500/DUV/DCCD/M

光学系统:

 曝光时间调解器:0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)
 365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环;
 声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标;
 有安全保护装置的温度及其气流传感器;
 全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度;
 波长滤片检查及安装装置
 抗衍射反射功能高效反光镜;
 二向色的防热透镜装置;
 防汞灯泄漏装置;
 配备蝇眼棱镜装置
 配备深紫外光源,
    --220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2
    --254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2
    --365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2
    --400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2

主要配置:

 6“,8”光源系统 
 可支持2“,3”,4“,6”,8“(圆/方片)及碎片光刻 
 手动系统,半自动系统, 自动对准系统
 支持电源350-2000 Watt
 支持深紫外曝光
 CCD或显微镜对准系统



主要性能指标:

 光强均匀性Beam Uniformity::
    --<±1% over 2” 区域
    --<±2% over 4” 区域
    --<±3% over 6” 区域

 接触式样曝光特征尺寸CD(深紫外DUV):0.35 um(验收指标)
 
接触式样曝光特征尺寸CD(深紫外DUV):0.25 um(极限指标)
 正面对准精度±0.5um
 
支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻,特征尺寸:100um-300um
 支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻
 支持真空、接近式、接触式曝光
 支持恒定光强或恒定功率模式

光刻线条特征尺寸:

    应用实例1:深紫外光源下0.25um线条
     Scanning Electron Micrographs 电子显微镜图像
     Feature Sizes图像尺寸0.25微米线条
     采用TOK DUV 光刻胶,200nm光学镜,光刻胶厚度0.45微米。曝光时间40秒。


   


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详细信息请联系:
 
电话: 86-10-87721612,87721672
传真: 86-10-87721672
 
tom@hacori.com,何先生

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