光学系统：

 曝光时间调解器：0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)
 365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环；
 声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标；
 有安全保护装置的温度及其气流传感器；
 全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度；
 波长滤片检查及安装装置
 抗衍射反射功能高效反光镜；
 二向色的防热透镜装置；
 防汞灯泄漏装置；
 配备蝇眼棱镜装置
 配备深紫外光源，
    --220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2
    --254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2
    --365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2
    --400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2

主要配置：

 6“，8”光源系统 
 可支持2“，3”，4“，6”，8“（圆/方片）及碎片光刻 
 手动系统，半自动系统, 自动对准系统
 支持电源350-2000 Watt
 支持深紫外曝光
 CCD或显微镜对准系统


主要性能指标：

 光强均匀性Beam Uniformity:：
    --<±1% over 2” 区域
    --<±2% over 4” 区域
    --<±3% over 6” 区域
 接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um（验收指标）
 接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.25 um（极限指标）
 正面对准精度±0.5um
 支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻，特征尺寸：100um-300um
 支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻
 支持真空、接近式、接触式曝光
 支持恒定光强或恒定功率模式

光刻线条特征尺寸：

    应用实例1：深紫外光源下0.25um线条
     Scanning Electron Micrographs 电子显微镜图像
     Feature Sizes图像尺寸0.25微米线条
     采用TOK DUV 光刻胶，200nm光学镜，光刻胶厚度0.45微米。曝光时间40秒。